RFHIC

 

RFHIC

 

1. GaN 트랜지스터, GaN 전력증폭기 전문 기업

본사업은 통신장비. 무선 주파수 부품 국산화로 RF 장비 생산

 

질화칼륨(GaN)을 이용한 트랜지스터 및 전력증폭기 개발. 해외 글로벌업체들이 30년 동안 실리콘(Si) 기반의 LDMOS(수평확산형모스)로 시장을 차지하고 있던 상황에서 RFHIC는 GaN을 적용한 고효율 트랜지스터 및 전력증폭기를 세계 최초로 무선 통신시장에 출시했다. 

 

GaN 소자의 경우 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용됐지만 RFHIC는 대량 양산 체제를 구축해 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격 구조를 만들었다.  실제로 GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높은 반면 제품 크기는 최대 절반, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있다. 

 

매출비중: GaN 전력증폭기 78%, GaN 트랜지스터 21.3%

 

2. GaN 트랜지스터와 SiC 트랜지스터

 

GaN 트랜지스터는 주로 무선 주파수(RH) 전력 분야에서 사용되어 왔다. 최대 100Ghz 주파수까지 전력증폭기로 무선장비에 널리 사용된다. 비싼 가격 때문에 군사 레이더, 위성 송신기 등에 사용된다. 5G의 등장으로 4G에서는 최고 2.6GHz 대역 주파수까지 통신에 사용되었던 것에서 5G는 3.5GHz대역이 상용화, 28GHz 대역 주파수가 이동통신사에 할당되면서 사용 주파수 대역이 높아짐에 따라 무선 전력증폭기에도 높은 성능이 요구되고 있다. 

GaN은 실리콘에 비해 고전압, 고내열, 소형화에 강점이 있다. 기존 실리콘칩과 비교하면 

1) 작은 에너지로도 효과적인 열관리가 가능하며, 이때문에 고온에서도 안정적인 성능을 발휘한다.

2) 높은 전력 밀도로 기기의 소형화가 가능하며, 작은 크기의 기기로도 성능 향상을 달성할 수 있다.

3) 높은 스위칭 주파수를 가지고 있어 노이즈 개선에 우수하며, 전력 변환 효율을 높여 기기의 소형화와 부피감소가 가능하다. 

 

 

3. 전력반도체 시장 개화의 비전

2022년 삼성전자에 66억 규모의 미국 DISH향 이동통신 기지국용 GaN 트랜지스터 공급 계약을 체결한 바 있다. 삼성전자는 지난 '23년 8인치 GaN 전력 반도체 파운드리 서비스를 '25년부터 시작하겠다고 밝혔다. 양산을 위해 '쉘 퍼스트' 전략으로 2021년 대비 2027년까지 7.3배로 capa 확장을 계획하고 있으며 2025년에 6세대 이동통신(6G) 기술 확보를 위한 5나노 RF 양산뿐만 아니라 컨수머, 데이터센터, 차량용 GaN 전력반도체 파운드리 서비스 시작도 앞두고 있다.

 

 SK실트론도 지난해 저전력 반도체 개발을 시작하면서 SiC에서는 KEC, GaN에서는 RFHIC를 벤더로 선정했다. SK실트론과의 JV 설립은 미뤄졌으나(23.07이후 내용 확인 불가) GaN 화합물의 사용처가 기존 통신장비에서 전력반도체 사업으로 확장되는 만큼 매출 성장이 기대된다. 

 

이처럼 GaN의 응용처가 확대됨에 따라 증가한 수요와 함께 매출 증대가 기대된다. 

당장의 매출 성장은 어렵지만 시장 개화에 따른 매출 성장 기대감은 분명하다고 판단

 

 

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